来源：集成电路材料研究近日，拓荆科技在接受机构调研时表示，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达

来源：华天科技9月22日，华天南京集成电路先进封测产业基地二期项目在浦口区奠基。南京市长陈之常，江北新区管委会主任浦口区委书记吴勇强，华天科技集团董事长肖胜利，华天科技集团常务副总裁刘建军、副总裁肖智轶共同出席。华天南京封测基地二期项目将建设具备国际先进水平的集成电路封装测试生产线，产品广泛应用于存

来源：无锡日报 在全链条推进量子科技这一未来产业技术攻关和成果应用上无锡再迎重磅动作 25日，由上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线正式启用，这标志着光子芯片正式步入产业化快车道，将突破原有的计算范式限制，为大规模智算带来新的想象空间。光子芯片是新一代信息技术的核心，能满足新一

来源：Power Electronics News新型 OptiMOS™ 6 135 V 和 150 V MOSFET 可提高驱动器和 SMPS 应用的效率。英飞凌科技股份有限公司推出全新 135 V 和 150 V 产品系列，升级的了其 OptiMOS™ 6 MOSFET 产品组合。这些器件的设计

华尔街日报报道，台积电和三星两家芯片制造巨头已讨论在阿联酋建设大型工厂综合体，这可能会在未来几年改变该行业，并成为中东人工智能投资的基石。据知情人士透露，全球最大芯片制造商台湾半导体制造公司的高管最近访问了阿联酋，并谈到了一座与该公司在台湾一些最大、最先进的工厂相当的工厂综合体。据其他了解三星电子战

来源：通富微电近日，通富通达先进封测基地项目开工仪式在市北高新区通达地块隆重举行，该项目是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步。通富先进封装测试生产基地项目是崇川区2024年省级重大项目，是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步，包括通富通达和通富通科两个子项目。通富通达项目建成后，将

据昕感科技官微消息，日前，昕感科技顺利完成晶圆厂首批投片。据悉，昕感科技江阴晶圆厂于2023年8月土建开工，2024年8月设备正式Move-in。一期占地面积50亩，建设净化间面积1万平方米。此次投片，标志着昕感晶圆厂正式进入全面营运阶段，昕感科技迈进更快发展时期，期待后续可为客户提供更好的支持与服

9月26日，SK海力士宣布全球率先开始量产12层HBM3E新品，实现了现有HBM产品中最大的36GB（千兆字节）容量。据悉，SK海力士将在年内向客户提供产品，距其今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E，仅时隔6个月。SK海力士表示，12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有

来源：businesswireAOZ1390DI 的先进 LPS 功能可大大降低危险条件下的风险（图源：Business Wire）Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) （“万国半导体”）是一家设计、开发和全球供应各种分立功率器件、宽禁带功率器件、电

来源：维科网光通讯近日，全球玻璃基光子芯片领域的领航者Ephos宣布了其业务版图的重大扩张计划，成功募集了850万美元（折合约5969.04万人民币）资金，并宣布在意大利米兰设立全球首个专注于玻璃基量子光子电路研发与制造的尖端工厂。该工厂预计年内全面投产，首批创新芯片产品也将在不久后惊艳亮相。（图片

来源：瞻芯电子近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。SiC MOSFET作为功率变换系统的核心元器件，其性能表现影响应

来源：Military AerospaceUWBGS 计划将为半导体电子领域的下一次革命，开发和优化超宽禁带材料和制造工艺。美国军方研究人员需要为新一代超宽禁带半导体开发新型集成电路衬底、器件层、结和低电阻电触点。他们从 RTX 公司找到了解决方案。位于美国弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究计划局