来源：中国科学院物理研究所常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，

近日，联发科官方宣布将于5月7日举办天玑开发者大会(MDDC)，并在活动上推出其最新的天玑9300 Plus处理器，预计vivo X100s将成为首批搭载该芯片的手机产品。据悉，该款芯片基于台积电4nm工艺打造，采用四颗超大核+四颗大核组合架构。天玑9300 Plus处理器作为天玑9300的升级加强

据“金龙湖发布”公众号消息，目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。相关负责人称，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产辅助用房建设和地面硬化等，力保6月前完成调试，6月3日顺利竣工交付。据悉，天科合达二期项目作为省级重大产业项目，总投资8.3亿元，建

自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。该交易预计将于2024年7月完成，之后，Odyssey的所有关键员工预计将加入PI的技术团队。声明中称，此次收购将有力支持公司正在进行的

新思科技携手台积公司共同开发人工智能驱动的芯片设计流程以优化并提高生产力，推动光子集成电路领域的发展，并针对台积公司的2纳米工艺开发广泛的IP组合摘要：由Synopsys.ai™ EDA套件赋能可投产的数字和模拟设计流程能够针对台积公司N3/N3P和N2工艺，助力实现芯片设计成功，并加速模拟设计迁移

据日媒报道，晶圆代工厂力积电(PSMC)与SBI控股曾宣布，将合资设立JSMC首座晶圆厂。而SBI控股会长兼社长北尾吉孝近日透露，有意将新厂生产时间提前一年。对此，力积电并未对投产时间作出回应，但表示将全力对该厂提供技术援助。据悉，该晶圆厂选定日本宫城县黑川区大衡村的第二北仙台中央工业园区，计划20

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Powe

据路透社8日报道，在有消息称美国撤销了一些企业向中企出口芯片许可证后，美国芯片巨头英特尔公司当天表示，其销售额可能将受到打击。对于美国针对中企的这一最新限制芯片出口举动，中国商务部7日回应称，这是典型的经济胁迫做法，不仅违背世贸组织规则，也严重损害美国企业利益。路透社称，英特尔在提交给美国证券交易委

来源：筑波网络科技图: 筑波网络科技总经理张佳楙 (左), LitePoint总裁John Lukez (中), 筑波网络科技许深福董事长 (右)筑波网络科技(ACE Solution) 是软硬件整合的专家，而莱特菠特 (LitePoint) 致力于提供最先进的无线测试解决方案，为现今蓬勃发展的无线

据中车时代电气官微消息，近日，宜兴中车时代半导体有限公司首台（套）设备搬入仪式，在宜兴市经开区项目工地成功举行。据悉，中低压功率器件产业化（宜兴）建设项目位于无锡市宜兴市经济开发区，于2023年3月全面启动。一期项目投资59亿元，产品主要用于新能源汽车领域。建成达产后可满足新增36万片中低压组件基材

来源：上海微技术工研院近年来，随着集成电路技术和微机电系统（MEMS）技术的飞速发展，非制冷红外焦平面阵列探测器技术日趋成熟，系列化产品也逐步实现大规模量产。上海工研院聚焦“超越摩尔”集成电路核心工艺研发，并于2018年开始布局非制冷红外探测器技术。经过多年的技术研发和攻关，建立由标准模块工艺组成的

来源：美光美光再创行业里程碑，率先验证并出货 128GB DDR5 32Gb 服务器 DRAM，满足内存密集型生成式 AI 应用对速率和容量的严苛要求Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM芯片的128GB